（在表面上使用液体或其他流体材料的一般涂覆入B05；挤压法制造包覆金属的产品入B21C 23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置。例如B21D 39/00，B23K；采用电极并通过作用于工件的高度集中电流加工金属入B23H；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石，陶瓷或天然石的金属化入C04B 41/00；涂料、合成漆、天然漆入C09D；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入C23D；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制入C23F；单晶膜生长入C30B；扫描探针装置的部件一般入G12B 21/00；半导体器件的制造入H01L；印刷线路的制造入H05K）〔4〕
附注
本小类中，当某种工序专门适用于但又截然不同于所涉及的被覆工艺并构成一种单独的工序，则视作预处理或后处理。若某种工序的结果形成了永久性的底层或面层，则不视作预处理或后处理，而作多步被覆工艺来分类。〔4〕

小类索引
用熔融覆层材料的镀覆2/00至6/00
固态扩散镀覆8/00至12/00
用真空蒸发、溅射或离子注入法镀覆14/00
化学镀覆16/00至20/00
接触镀18/00
表面化学处理22/00
使用无机粉末的镀覆24/00
其他镀覆，多层镀覆26/00，28/00
金属覆层材料的组成30/00

用熔融态覆层材料的镀覆（铸造入B22D，例如B22D 19/08、B22D 23/04、B29；堆焊入B23K，例如B23K 5/18、B23K 9/04）〔4〕
C23C 2/00用熔融态覆层材料且不影响形状的热浸镀工艺；其所用的设备〔4〕
C23C 2/02·待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域上镀覆（C23C 2/30优先）〔4〕
C23C 2/04·以覆层材料为特征的〔4〕
C23C 2/06··锌或镉或以其为基的合金〔4〕
C23C 2/08··锡或锡合金〔4〕
C23C 2/10··铅或铅合金〔4〕
C23C 2/12··铝或铝合金〔4〕
C23C 2/14·过量熔融覆层的除去；覆层厚度的控制或调节（一般的厚度控制或调节入G05D 5/02）〔4〕
C23C 2/16··使用压力流体，例如气刀的〔4〕
C23C 2/18···长形材料上过量熔融层的除去〔4〕
C23C 2/20····带材；板材〔4〕
C23C 2/22··利用铲刮，例如用刀〔4〕
C23C 2/24··使用磁场或电场的〔4〕
C23C 2/26·后处理（C23C 2/14优先）〔4〕
C23C 2/28··加热后处理，例如在油槽中处理〔4〕
C23C 2/30·熔剂或融态槽液上的覆盖物（C23C 2/22优先）〔4〕
C23C 2/32·用施加于槽液或基体之振动能的（C23C 2/14优先）〔4〕
C23C 2/34·以待处理材料之形状为特征的（C23C 2/14优先）〔4〕
C23C 2/36··长形材料〔4〕
C23C 2/38···线材；管材〔4〕
C23C 2/40···板材；带材〔4〕

C23C 4/00熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆（喷枪入B05B；通过金属的热喷镀制备含纤维或丝的合金入C22C 47/16；等离子枪入H05H）〔4〕
C23C 4/02·待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆〔4〕
C23C 4/04·以镀覆材料为特征的〔4〕
C23C 4/06··金属材料〔4〕
C23C 4/08···仅含金属元素的〔4〕
C23C 4/10··氧化物、硼化物、碳化物、氮化物、硅化物或其混合物〔4〕
C23C 4/12·以喷镀方法为特征的〔4〕
C23C 4/14··用于长形材料的镀覆〔4〕
C23C 4/16···线材；管材〔4〕
C23C 4/18·后处理〔4〕

C23C 6/00基体上浇铸熔融材料的镀覆〔4〕

金属材料表面的固渗〔4〕
C23C 8/00金属材料表面中仅渗入非金属元素的固渗（渗硅入C23C 10/00）；材料表面与一种活性气体反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理法，例如转化层、金属的钝化（C23C 14/00优先）〔4〕
C23C 8/02·被覆材料的预处理（C23C 8/04优先）〔4〕
C23C 8/04·局部表面的处理，例如使用掩蔽物的〔4〕
C23C 8/06·使用气体的〔4〕
C23C 8/08··仅用一种元素的〔4〕
C23C 8/10···氧化〔4〕
C23C 8/12····使用元素氧或臭氧的〔4〕
C23C 8/14·····黑色金属表面的氧化〔4〕
C23C 8/16····使用含氧化合物，例如H2O、CO2〔4〕
C23C 8/18·····黑色金属表面的氧化〔4〕
C23C 8/20···渗碳〔4〕
C23C 8/22····黑色金属表面的〔4〕
C23C 8/24···渗氮〔4〕
C23C 8/26····黑色金属表面的〔4〕
C23C 8/28··一步法渗多种元素〔4〕
C23C 8/30···碳氮共渗〔4〕
C23C 8/32····黑色金属表面的〔4〕
C23C 8/34··多步法渗多种元素〔4〕
C23C 8/36··使用电离气体的，例如离子氮化（带有放电物体或材料之引入装置的放电管本身入H01J 37/00）〔4〕
C23C 8/38···黑色金属表面的处理〔4〕
C23C 8/40·使用液体，例如盐浴、悬浮液的〔4〕
C23C 8/42··仅渗一种元素〔4〕
C23C 8/44···渗碳〔4〕
C23C 8/46····黑色金属表面的〔4〕
C23C 8/48···渗氮〔4〕
C23C 8/50····黑色金属表面的〔4〕
C23C 8/52··一步法渗多种元素〔4〕
C23C 8/54···碳氮共渗〔4〕
C23C 8/56····黑色金属表面的〔4〕
C23C 8/58··多步法渗多种元素〔4〕
C23C 8/60·使用固体，例如粉末、膏剂的（使用含固体的悬浮液者入C23C 8/40）〔4〕
C23C 8/62··仅渗一种元素〔4〕
C23C 8/64···渗碳〔4〕
C23C 8/66····黑色金属表面的〔4〕
C23C 8/68···渗硼〔4〕
C23C 8/70····黑色金属表面的〔4〕
C23C 8/72··一步法渗多种元素〔4〕
C23C 8/74···碳氮共渗〔4〕
C23C 8/76····黑色金属表面的〔4〕
C23C 8/78··多步法渗多种元素〔4〕
C23C 8/80·后处理〔4〕

C23C 10/00金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗〔4〕
C23C 10/02·被覆材料的预处理（C23C 10/04优先）〔4〕
C23C 10/04·局部表面上的扩散处理，例如使用掩蔽物〔4〕
C23C 10/06·使用气体的〔4〕
C23C 10/08··仅渗一种元素〔4〕
C23C 10/10···渗铬〔4〕
C23C 10/12····黑色金属表面的〔4〕
C23C 10/14··一步法渗多种元素〔4〕
C23C 10/16··多步法渗多种元素〔4〕
C23C 10/18·使用液体，例如盐浴、悬浮液的〔4〕
C23C 10/20··仅渗一种元素〔4〕
C23C 10/22···在含有欲渗元素的金属熔体中〔4〕
C23C 10/24···在含有欲渗元素的盐浴中〔4〕
C23C 10/26··渗多种元素〔4〕
C23C 10/28·使用固体，例如粉末、膏剂的〔4〕
C23C 10/30··在表面上使用粉末层或膏剂层的（使用含固体的悬浮液者入C23C 10/18）〔4〕
C23C 10/32···渗铬〔4〕
C23C 10/34··埋置于粉末混合物中的，例如包埋渗〔4〕
C23C 10/36···仅渗一种元素〔4〕
C23C 10/38····渗铬〔4〕
C23C 10/40·····黑色金属表面的〔4〕
C23C 10/42······有挥发性催渗添加剂，例如卤代物存在〔4〕
C23C 10/44····渗硅〔4〕
C23C 10/46·····黑色金属表面的〔4〕
C23C 10/48····渗铝〔4〕
C23C 10/50·····黑色金属表面的〔4〕
C23C 10/52···一步法渗多种元素〔4〕
C23C 10/54····至少有铬〔4〕
C23C 10/56·····且至少有铝〔4〕
C23C 10/58···多步法渗多种元素〔4〕
C23C 10/60·后处理〔4〕

C23C 12/00金属材料表面中至少渗入一种硅以外的非金属元素及至少一种金属元素或硅的固渗〔4〕
C23C 12/02·一步法渗〔4〕

真空蒸发法、溅射法或离子注入法的镀覆〔4〕
C23C 14/00通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆（附有放电作用物体或材料引入装置的放电管本身入H01J 37/00）〔4〕
C23C 14/02·待镀材料的预处理（C23C 14/04优先）〔4〕
C23C 14/04·局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物〔4〕
C23C 14/06·以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕
C23C 14/08··氧化物（C23C 14/10优先）〔4〕
C23C 14/10··玻璃或二氧化硅〔4〕
C23C 14/12··有机材料〔4〕
C23C 14/14··金属材料、硼或硅〔4〕
C23C 14/16···在金属基体或在硼或硅基体上〔4〕
C23C 14/18···在其他无机物基体上〔4〕
C23C 14/20···在有机物基体上〔4〕
C23C 14/22·以镀覆工艺为特征的〔4〕
C23C 14/24··真空蒸发〔4〕
C23C 14/26···电阻加热蒸发源法或感应加热蒸发源法〔4〕
C23C 14/28···波能法或粒子辐射法（C23C 14/32至C23C 14/48优先）〔4〕
C23C 14/30····电子轰击法〔4〕
C23C 14/32···爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法（C23C 14/34至C23C 14/48优先）〔4〕
C23C 14/34··溅射〔4〕
C23C 14/35···利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕
C23C 14/36···二极溅射（C23C 14/35优先）〔4，5〕
C23C 14/38····直流辉光放电法〔4〕
C23C 14/40····用交流放电的，例如高频放电〔4〕
C23C 14/42···三极溅射（C23C 14/35优先）〔4，5〕
C23C 14/44····施加高频及附加直流电压法〔4〕
C23C 14/46···用外部离子源产生的离子束法（C23C 14/40优先）〔4〕
C23C 14/48··离子注入〔4〕
C23C 14/50··基座〔4〕
C23C 14/52··观察镀覆工艺的装置〔4〕
C23C 14/54··镀覆工艺的控制或调节（一般控制或调节入G05）〔4〕
C23C 14/56··连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器〔4〕
C23C 14/58·后处理〔4〕

分解式化学沉积或镀覆；接触镀（固渗入C23C 8/00至C23C 12/00）〔4〕
C23C 16/00通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕
C23C 16/01·在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上〔7〕
C23C 16/02·待镀材料的预处理（C23C 16/04优先）〔4〕
C23C 16/04·局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的〔4〕
C23C 16/06·以金属材料的沉积为特征的〔4〕
C23C 16/08··自金属卤化物〔4〕
C23C 16/10···仅沉积铬〔4〕
C23C 16/12···仅沉积铝〔4〕
C23C 16/14···仅沉积一种其他的金属元素〔4〕
C23C 16/16··自金属羰基化合物〔4〕
C23C 16/18··自有机金属化合物〔4〕
C23C 16/20···仅沉积铝〔4〕
C23C 16/22·以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕
C23C 16/24··仅沉积硅〔4〕
C23C 16/26··仅沉积碳〔4〕
C23C 16/27···仅沉积金刚石〔7〕
C23C 16/28··仅沉积一种其他的非金属元素〔4〕
C23C 16/30··沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕
C23C 16/32···碳化物〔4〕
C23C 16/34···氮化物〔4〕
C23C 16/36···碳—氮化物〔4〕
C23C 16/38···硼化物〔4〕
C23C 16/40···氧化物〔4〕
C23C 16/42···硅化物〔4〕
C23C 16/44·以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕
C23C 16/442··采用流化床法〔7〕
C23C 16/448··产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华〔7〕
C23C 16/452···输入反应室前的活化反应气流法，例如通过电离或加入活性组分〔7〕
C23C 16/453··通过燃烧器或喷灯的反应气体法，例如在大气压下的CVD法（C23C 16/513优先；在熔融状态下涂覆材料的火焰喷镀或等离子体喷镀入C23C 4/00）〔7〕
C23C 16/455··向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕
C23C 16/458··在反应室中支承基体的方法〔7〕
C23C 16/46··以加热基体的方法为特征的（C23C 16/48、C23C 16/50优先）〔4〕
C23C 16/48··辐射法，例如光分解、辐射分解、粒子辐射〔4〕
C23C 16/50··借助放电的〔4〕
C23C 16/503···采用直流或交流放电〔7〕
C23C 16/505···采用射频放电〔7〕
C23C 16/507····采用外电极，例如在隧道式反应器中〔7〕
C23C 16/509····采用内电极〔7〕
C23C 16/511···采用微波放电〔7〕
C23C 16/513···采用等离子流〔7〕
C23C 16/515···采用脉冲放电〔7〕
C23C 16/517···采用C23C 16/503至C23C 16/515的两组或更多种方法放电〔7〕
C23C 16/52··镀覆工艺的控制或调整（一般控制或调整入G05）〔4〕
C23C 16/54··连续镀覆的专用设备〔4〕
C23C 16/56·后处理〔4〕

C23C 18/00通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆（表面化学反应的入C23C 8/00、C23C 22/00）；接触镀〔4〕
附注
本大组也包括含有反应液体与未反应固体颗粒的悬浮液〔4〕
C23C 18/02·热分解法〔4〕
C23C 18/04··待镀材料的预处理（C23C 18/06优先）〔4〕
C23C 18/06··局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的〔4〕
C23C 18/08··以金属材料之沉积为特征的〔4〕
C23C 18/10···仅沉积铝〔4〕
C23C 18/12··以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕
C23C 18/14·辐射分解法，例如光分解、粒子辐射〔4〕
C23C 18/16·还原法或置换法，例如无电流镀（C23C 18/54优先）〔4〕
C23C 18/18··待镀材料的预处理〔4〕
C23C 18/20···有机物表面，例如树脂的〔4〕
C23C 18/22····粗糙化，例如用蚀刻〔4〕
C23C 18/24·····使用酸性水溶液的〔4〕
C23C 18/26·····使用有机液体的〔4〕
C23C 18/28····敏化或活化〔4〕
C23C 18/30·····活化〔4〕
C23C 18/31··用金属镀覆〔5〕
C23C 18/32···用铁、钴或镍之一种镀覆；用这些金属之一种与磷或硼所成的混合物镀覆〔4，5〕
C23C 18/34····使用还原剂〔4，5〕
C23C 18/36·····使用次磷酸盐的
〔4，5〕
C23C 18/38···镀铜〔4，5〕
C23C 18/40····使用还原剂〔4，5〕
C23C 18/42···镀贵金属〔4，5〕
C23C 18/44····使用还原剂〔4，5〕
C23C 18/48··用合金镀覆〔4，5〕
C23C 18/50···用铁基、钴基或镍基合金（C23C 18/32优先）
〔4，5〕
C23C 18/52··使用还原剂镀不包含在C23C 18/32至C23C 18/50各组任何单独一个大组中的金属材料〔4〕
C23C 18/54·接触镀，即无电流化学镀〔4〕

C23C 20/00通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆（表面化学反应的入C23C 8/00、C23C 22/00）〔4〕
附注
本大组也包括含有未反应液体与反应固体颗粒的悬浮液。〔4〕
C23C 20/02·镀金属材料〔4〕
C23C 20/04··镀金属〔4〕
C23C 20/06·镀金属材料以外的无机材料〔4〕
C23C 20/08··镀化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕

表面与反应介质反应的金属材料表面化学处理（与反应气体反应的入C23C 8/00）〔4〕C23C 22/00表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理，例如转化层、金属的钝化（蚀洗用涂料入C09D 5/12）〔4〕
附注
1 本大组也包括含有反应液体与未反应固体颗粒的悬浮液。〔4〕
2 槽液的再生分入与该特定槽液组成相应的位置。〔4〕
附注
C23C 22/02至C23C 22/86各组中，若无相反指示，分类分入最后适当位置。〔4〕
C23C 22/02·使用非水溶液的〔4〕
C23C 22/03··含有磷化合物的〔4〕
C23C 22/04··含有六价铬化合物的〔4〕
C23C 22/05·使用水溶液的〔5〕
C23C 22/06··使用pH＜6之酸性水溶液的〔4，5〕
C23C 22/07···含有磷酸盐的〔4，5〕
C23C 22/08····偏磷酸盐〔4，5〕
C23C 22/10·····含有氧化剂的〔4，5〕
C23C 22/12·····含有锌阳离子的〔4，5〕
C23C 22/13······还含有硝酸根或亚硝酸根的〔4，5〕
C23C 22/14······还含有氯酸根的〔4，5〕
C23C 22/16······还含有过氧化物的〔4，5〕
C23C 22/17······还含有有机酸的〔4，5〕
C23C 22/18·····含有锰阳离子的〔4，5〕
C23C 22/20·····含有铝阳离子的〔4，5〕
C23C 22/22·····含有碱土金属阳离子的〔4，5〕
C23C 22/23····缩合磷酸盐〔4，5〕
C23C 22/24···含有六价络化合物的〔4，5〕
C23C 22/26····还含有有机化合物〔4，5〕
C23C 22/27·····酸类〔4，5〕
C23C 22/28·····高分子化合物〔4，5〕
C23C 22/30····还含有三价铬〔4，5〕
C23C 22/32····还含有金属粉末〔4，5〕
C23C 22/33····还含有磷酸盐〔4，5〕
C23C 22/34···含有氟化物或络合氟化物的〔4，5〕
C23C 22/36····还含有磷酸盐〔4，5〕
C23C 22/37····还含有六价铬化合物
〔4，5〕
C23C 22/38·····还含有磷酸盐〔4，5〕
C23C 22/40···含有钼酸盐、钨酸盐或钒酸盐的〔4，5〕
C23C 22/42····还含有磷酸盐〔4，5〕
C23C 22/43····还含有六价铬化合物的〔4，5〕
C23C 22/44····还含有氟化物或络合氟化物〔4，5〕
C23C 22/46···含有草酸盐的〔4，5〕
C23C 22/47····还含磷酸盐〔4，5〕
C23C 22/48···不含磷酸盐、六价铬化合物、氟化物或络合氟化物、钼酸盐、钨酸盐、钒酸盐或草酸盐的〔4，5〕
C23C 22/50····铁或铁基合金的处理
〔4，5〕
C23C 22/52····铜或铜基合金的处理
〔4，5〕
C23C 22/53····锌或锌基合金的处理
〔4，5〕
C23C 22/54····难熔金属或以其为基的合金的处理〔4，5〕
C23C 22/56····铝或铝基合金的处理
〔4，5〕
C23C 22/57····镁或镁基合金的处理
〔4，5〕
C23C 22/58····其他金属材料的处理
〔4，5〕
C23C 22/60··使用pH>8的碱性水溶液的〔4，5〕
C23C 22/62···铁或铁合金的处理〔4，5〕
C23C 22/63···铜或铜合金的处理〔4，5〕
C23C 22/64···难熔金属或以其为基的合金的处理〔4，5〕
C23C 22/66···铝或铝合金的处理〔4，5〕
C23C 22/67····用含六价铬化的溶液
〔4，5〕
C23C 22/68··使用pH为6与8之间的水溶液的〔4，5〕
C23C 22/70·使用熔体〔4〕
C23C 22/72··铁或铁合金的处理〔4〕
C23C 22/73·以工艺为特征的〔4〕
C23C 22/74··用于获得烧上转化层的〔4〕
C23C 22/76··利用喷雾法镀覆液体〔4〕
C23C 22/77··镀覆工艺的控制或调节（一般控制或调节入G05）〔4〕
C23C 22/78·待镀覆材料的预处理〔4〕
C23C 22/80··用含钛或锆化合物之溶液的〔4〕
C23C 22/82·后处理〔4〕
C23C 22/83··化学后处理〔4〕
C23C 22/84··着色〔4〕
C23C 22/86·镀覆槽液的再生〔4〕

C23C 24/00自无机粉末起始的镀覆（熔融态覆层材料的喷镀入C23C 4/00；固渗入C23C 8/00至C23C 12/00；金属粉末烧结法制造复合层、工件或制品入B22F 7/00；摩擦焊入B23K 20/12）〔4〕
C23C 24/02·仅使用压力的〔4〕
C23C 24/04··颗粒的冲击或动力沉积〔4〕
C23C 24/06··粉末状覆层材料的压制，例如轧制〔4〕
C23C 24/08·加热法或加压加热法的（C23C 24/04优先）〔4〕
C23C 24/10··覆层中临时形成液相的〔4〕

C23C 26/00不包含在C23C 2/00至C23C 24/00各组中的镀覆〔4〕
C23C 26/02·基体上镀覆熔融材料的（表面上被覆熔融物一般入B05）〔4〕

C23C 28/00用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25C、C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆〔4〕
C23C 28/02·仅为金属材料覆层〔4〕
C23C 28/04·仅为无机非金属材料覆层〔4〕

C23C 30/00仅以金属材料组成为特征的金属材料镀覆，即不以镀覆工艺为特征（C23C 26/00、C23C 28/00优先）〔4〕