C30B单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕

附注
    1本小类中，下列词汇按指定的含义使用：
 “单晶”也包括孪晶及单晶占支配地位的产品；〔3〕
 “均匀多晶材料”是指具有晶体颗粒的材料，所有颗粒具有同样的化学组分；〔5〕
“一定结构”是指含有晶粒材料的结构，其中晶粒按最佳方式定向排列，或晶粒尺寸大于常规方法获得的晶粒尺寸。〔5〕
    2本小类中
发明涉及制备特定材料或特定形状之单晶或具有一定结构的均匀多晶材料，分入该工艺方法组及C30B 29/00组；〔3〕
特定工艺方法专用的装置，分入该工艺方法的相应组。用一种以上工艺方法的装置，分入C30B 35/00组。〔3〕

小类索引
单晶生长
　　自固体或凝胶1/00，3/00，5/00
　　自液体7/00至21/00，27/00
　　自气化物23/00，25/00
具有一定结构的均匀多晶材料的制备28/00，30/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料29/00
后处理31/00，33/00
装置35/00

固体或凝胶的单晶生长〔3〕
C30B 1/00直接自固体的单晶生长（共析材料的定向分层入C30B 3/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕
C30B 1/02·热处理法，例如应变退火（C30B 1/12优先）〔3〕
C30B 1/04··等温重结晶〔3〕
C30B 1/06··温度梯度下的重结晶〔3〕
C30B 1/08···区熔重结晶〔3〕
C30B 1/10·固相反应法或多相扩散法〔3〕
C30B 1/12·生长期间的压力处理法〔3〕

C30B 3/00共析材料的定向分层〔3〕

C30B 5/00凝胶的单晶生长（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕
C30B 5/02·添加掺杂材料的〔3〕

液体的单晶生长；共晶材料的定向凝固〔3〕
C30B 7/00常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长（用熔融溶剂的入C30B 9/00）；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕
C30B 7/02·溶剂蒸发法〔3〕
C30B 7/04··用水溶剂的〔3〕
C30B 7/06··用非水溶剂的〔3〕
C30B 7/08·溶液冷却法〔3〕
C30B 7/10·加压法，例如水热法〔3〕
C30B 7/12·电解法〔3〕
C30B 7/14·由溶液中的化学反应生成的结晶化材料〔3〕

C30B 9/00使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长（用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；用区域熔融法的入C30B 13/00；晶体提拉法入C30B 15/00；在浸入的晶种上的入C30B 17/00；液相外延生长法入C30B 19/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕
C30B 9/02·熔融态溶剂的蒸发法〔3〕
C30B 9/04·熔融溶液冷却法〔3〕
C30B 9/06··使用晶体组成之一种组分作溶剂的〔3〕
C30B 9/08··使用其他溶剂的〔3〕
C30B 9/10···金属溶剂〔3〕
C30B 9/12···盐溶剂，例如助熔剂生长〔3〕
C30B 9/14·电解法〔3〕

C30B 11/00正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕
C30B 11/02·不使用溶剂的（C30B 11/06）〔3〕
C30B 11/04·熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的〔3〕
C30B 11/06··至少有一种但非晶体成分之全部组分是添加的〔3〕
C30B 11/08··晶体成分的所有组分均是在结晶化过程中添加的〔3〕
C30B 11/10···固态组分或液态组分，例如焰熔法〔3〕
C30B 11/12···气化态组分，例如气化相—液相—固相生长〔3〕
C30B 11/14·以籽晶（例如其结晶取向）为特征的〔3〕

C30B 13/00区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕
C30B 13/02·用溶剂的区域熔化，例如移动溶剂法〔3〕
C30B 13/04·区熔匀化法的均质化〔3〕
C30B 13/06·不遍及整个横截面的熔融区〔3〕
C30B 13/08·熔融区中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的〔3〕
C30B 13/10··同时添加掺杂材料的〔3〕
C30B 13/12···以气态或气化态的〔3〕
C30B 13/14·坩埚或舟皿〔3〕
C30B 13/16·熔融区的加热〔3〕
C30B 13/18··接触或浸入熔融区域的加热元件〔3〕
C30B 13/20··感应法，例如热线式法（C30B 13/18优先；感应圈入H05B 6/36）〔3〕
C30B 13/22··辐射法或放电法〔3〕
C30B 13/24···使用电磁波的〔3〕
C30B 13/26·熔融区的搅拌〔3〕
C30B 13/28·控制或调节（一般控制或调节入G05）〔3〕
C30B 13/30··熔融区的稳定化或形状控制，例如用浓缩器的、用电磁场的；控制晶体截面的〔3〕
C30B 13/32·移动装料或加热器用的机构〔3〕
C30B 13/34·以籽晶（例如以其结晶取向）为特征的〔3〕

C30B 15/00熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕
C30B 15/02·向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的〔3〕
C30B 15/04··添加掺杂材料，例如用于n-p结的〔3〕
C30B 15/06·非垂直提拉〔3〕
C30B 15/08·下拉〔3〕
C30B 15/10·承载熔融液的坩埚或容器〔3〕
C30B 15/12··双坩埚法〔3〕
C30B 15/14·熔融液或已结晶化材料的加热〔3〕
C30B 15/16··辐照法和放电法〔3〕
C30B 15/18··除其他加热方法以外用直接电阻加热法，例如使用珀尔帖(Peltier)加热的〔3〕
C30B 15/20·控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕
C30B 15/22··被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制〔3〕
C30B 15/24···使用机械装置，例如成形导模的（边缘限制熔膜供料的晶体生长用的成形模入C30B 15/34）〔3〕
C30B 15/26···使用电视摄像机的；使用光检测器或X射线检测器的〔3〕
C30B 15/28···利用晶体或熔体重量变化的，例如浮称法〔3〕
C30B 15/30·转动或移动熔体或晶体的机构（浮称法入C30B 15/28）〔3〕
C30B 15/32·籽晶夹持器，例如籽晶夹头〔3〕
C30B 15/34·使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长〔3〕
C30B 15/36·以籽晶，例如其结晶取向为特征的〔3〕

C30B 17/00生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法（C30B 15/00优先）〔3〕

C30B 19/00液相外延层生长〔3〕
C30B 19/02·使用熔融态溶剂，如助溶剂的〔3〕
C30B 19/04··晶体组分之一是溶剂的〔3〕
C30B 19/06·反应室；承载熔融液的舟皿；衬底夹持器〔3〕
C30B 19/08·反应室或衬底的加热〔3〕
C30B 19/10·控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕
C30B 19/12·以衬底为特征的〔3〕

C30B 21/00共晶材料的定向凝固〔3〕
C30B 21/02·正常浇铸法或温度梯度凝固法〔3〕
C30B 21/04·区域熔融法〔3〕
C30B 21/06·熔融液提拉法〔3〕

气化物的单晶生长〔3〕
C30B 23/00冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕
C30B 23/02·外延层生长〔3〕
C30B 23/04··图案沉积，如使用掩模的〔3〕
C30B 23/06··沉积室、衬底或欲蒸发材料的加热〔3〕
C30B 23/08··电离气化物的冷凝法（用反应溅射法的入C30B 25/06）〔3〕

C30B 25/00反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕
C30B 25/02·外延层生长〔3〕
C30B 25/04··图案沉积，例如使用掩膜的〔3〕
C30B 25/06··反应溅射法的〔3〕
C30B 25/08··反应室；其所用材料的选择〔3〕
C30B 25/10··反应室或衬底的加热〔3〕
C30B 25/12··衬底夹持器或基座〔3〕
C30B 25/14··气体供给或排出用的装置；反应气流的变换〔3〕
C30B 25/16··控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕
C30B 25/18··以衬底为特征的〔3〕
C30B 25/20···与外延层材料相同的衬底〔3〕
C30B 25/22··夹层的工艺方法〔3〕

C30B 27/00保护流体下的单晶生长〔3〕
C30B 27/02·自熔融液的提拉法〔3〕

C30B 28/00制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕
C30B 28/02·由固态直接制备〔5〕
C30B 28/04·由液态制备〔5〕
C30B 28/06··正常凝固法或温度梯度凝固法〔5〕
C30B 28/08··区熔法〔5〕
C30B 28/10··自熔体的提拉法〔5〕
C30B 28/12·由气态直接制备〔5〕
C30B 28/14··用反应气体的化学反应法〔5〕

C30B 29/00以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料（合金入C22C）〔3，5〕
附注
C30B 29/02至C30B 29/54各组中，若无相反指示，材料分入最后适当位置。〔3〕
C30B 29/02·元素〔3〕
C30B 29/04··金刚石〔3〕
C30B 29/06··硅〔3〕
C30B 29/08··锗〔3〕
C30B 29/10·无机化合物或组合物〔3〕
C30B 29/12··卤化物〔3〕
C30B 29/14··磷酸盐〔3〕
C30B 29/16··氧化物〔3〕
C30B 29/18···石英〔3〕
C30B 29/20···铝的氧化物〔3〕
C30B 29/22···复合氧化物〔3〕
C30B 29/24····分子式为AMeO3的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如正铁氧体〔3〕
C30B 29/26····分子式为BMe2O4的，其中B为Mg、Ni、Co、Al、Zn或Cd，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al〔3〕
C30B 29/28····分子式为A3Me5O12的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如石榴石〔3〕
C30B 29/30····铌酸盐；钒酸盐；钽酸盐〔3〕
C30B 29/32····钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐〔3〕
C30B 29/34··硅酸盐〔3〕
C30B 29/36··碳化物〔3〕
C30B 29/38··氮化物〔3〕
C30B 29/40··AⅢBv化合物〔3〕
C30B 29/42···砷化镓〔3〕
C30B 29/44···磷化镓〔3〕
C30B 29/46··含硫、硒或碲的化合物〔3〕
C30B 29/48···AⅡBⅥ化合物〔3〕
C30B 29/50····硫化镉〔3〕
C30B 29/52··合金〔3〕
C30B 29/54·有机化合物〔3〕
C30B 29/56··酒石酸盐〔3〕
C30B 29/58··高分子化合物〔3〕
C30B 29/60·以形状为特征的〔3〕
C30B 29/62··晶须或针状结晶〔3〕
C30B 29/64··平面晶体，例如板状、窄条状、圆盘状晶体〔5〕
C30B 29/66··几何形状复杂的晶体，例如管状、圆筒状的晶体〔5〕
C30B 29/68··具有叠层结构的晶体，例如“超晶格晶体”〔5〕

C30B 30/00利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕
附注
分在C30B 30/00组内的发明也可以按照晶体生长的工艺方法分入C30B 1/00至C30B 28/00各组中。〔5〕
C30B 30/02·用电场的，例如电解法〔5〕
C30B 30/04·用磁场的〔5〕
C30B 30/06·用机械振荡的〔5〕
C30B 30/08·在微重力或零重力条件下的〔5〕

单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理〔3，5〕
C30B 31/00单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置〔3，5〕
C30B 31/02·同固态扩散材料接触的〔3〕
C30B 31/04·同液态扩散材料接触的〔3〕
C30B 31/06·同气态扩散材料接触的（C30B 31/18优先）〔3〕
C30B 31/08··扩散材料为被扩散元素之化合物的〔3〕
C30B 31/10··反应室；其所用材料的选择〔3〕
C30B 31/12··反应室的加热〔3〕
C30B 31/14··衬底夹持器或基座〔3〕
C30B 31/16··气体供给或排出的装置；气流的变换〔3〕
C30B 31/18··控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕
C30B 31/20·电磁波辐照或粒子辐射法掺杂〔3〕
C30B 31/22··离子注入法〔3〕

C30B 33/00单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（C30B 31/00优先；研磨、抛光入B24；宝石类、晶体的机械精加工入B28D 5/00）〔3，5〕
C30B 33/02·热处理（C30B 33/04、C30B 33/06优先）〔5〕
C30B 33/04·用电场或磁场或粒子辐射〔5〕
C30B 33/06·晶体的接合〔5〕
C30B 33/08·侵蚀〔5〕
C30B 33/10··在溶液或熔体内〔5〕
C30B 33/12··在气体气氛或等离子体内〔5〕

C30B 35/00单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之生长、制备或后处理专用的一般装置〔3，5〕