（半导体片的运输系统入B65G 49／07；半导体器件在测量方面的应用入G01；扫描探针设备的零部件一般入G12B 21/00；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9／00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、集电器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、唱机拾音器等声学机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的结构零部件或外壳、电气元件组件的制造入H05K；在具有特殊用途的电路中半导体器件的应用见应用方面的小类）〔2〕
 附注
1本小类包括:
任何其他小类未包括的电固体器件及其零部件，并且包括适用于整流、放大、振荡或切换的半导体器件；对辐射敏感的半导体器件；应用热电、超导、压电、电致伸缩、磁致伸缩、电磁或体负阻效应的电固体器件以及集成电路器件；〔2〕
光敏电阻、磁场相关电阻、场效应电阻、有跃变势垒的电容器、有跃变势垒或表面势垒的电阻器、非相干光发射二极管以及薄膜或厚膜电路；〔2〕
适用于制造或处理这些器件的加工方法及设备，包含在其他类目的有关单步工序的加工方法除外。〔2〕
2本小类中所用如下术语或措辞意指：
“晶片”是指一片半导体或晶体的衬底材料，可以通过杂质扩散（掺杂）、离子注入或外延而改变，其有源表面可以处理成分立元件阵列或集成电路的阵列；〔8〕
“固体”系指材料体，在其材料体的内部或表面能产生表征该器件特征的物理效应。在热电器件中，“固体”包括所有处于电流通路上的材料。
该器件体的内部或表面的各部分（不是固体本身），无论是否与外界有电联接，凡对固体起电作用的，都被认为是“电极”。一个电极可以包括若干部分，并且该术语“电极”也包括通过绝缘区（例如电容性耦合）以及对该器件体的电感性耦合排列在固体上起作用的金属部分。将电容性排列内的介电区域视为电极的一部分。在包括有若干部分的排列中，仅将凭借其外形、尺寸或配置或其构成材料在该固体上起作用的那些部分看作是电极部分。将其他部分视为“向该固体通入或自该固体流出的通导电流的排列”或者是“在共用基片内部或上面形成的固体组件之间的相互连接”，即引线；〔2〕
“器件”系指电路元件；当电路元件是在一个共同基片内部或上面形成的多个元件中的一个时，则“器件”系指组件；〔2〕
“完整器件”系完全装配好的器件，这种器件在投入使用之前可能需要也可能不需要进一步的处理，例如：电铸，但是不需要进一步增加结构单元；〔2〕
“部件”包括在一个完整器件内所包括的所有结构单元；〔2〕
“容器”是一个外壳，它构成完整器件的一个部件，并且基本上是在其内放置器件体的一个固态结构，或者是在其器件体的周围形成的但不构成在此器件体上的紧密贴层的一个固态结构。把在其器件体上形成的一层或多层组成的并且与该器件体构成的紧密接触的闭合体称之为“封装”；〔2〕
“集成电路”是把所有的组件，例如二极管、电阻，集成在一个共用基片上并且构成包括有各组件间相互连接的器件；〔2〕
器件的“组装”系指由其组件的构成单元装配成器件并且包括在容器中加填料的措施。〔2〕
3在本小类中，仅当对用于制造或处理器件的方法或设备和器件本身都充分描述是有意义时，才对两者进行分类。〔6〕

　小类索引
　半导体器件
     H01L适用于整流、放大、振荡或切换的器件 29/00
     对辐射敏感的器件，或发射器件 31/00；33/00
　用有机材料制作的固体器件 51/00
　其他固体器件
     热电或热磁器件 35/00；37/00
     超导或高导器件 39/00
     一般压电、电致伸缩或磁致伸缩器件 41/00
     电磁器件 43/00
     无跃变势垒或表面势垒的器件；体负阻效应器件；
     其他类目不包括的器件 45/00；47/00；49/00
　半导体或其他固体器件的装配
     单个器件的装配 25/00
     集成电路 27/00
　零部件 23/00
　制造 21/00
　
　
H01L 21/00专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备（适于制造或处理入H01L 31/00到H01L 51/00各组所包含的器件或其部件的方法或设备见上述各组；包含在其他小类的单工序工艺方法见有关小类，例如C23C，C30B；花纹面或表面图形的照相制版，其材料或原版及专用设备一般入G03F）〔2，8〕
附注
组H01L 21/70优先于H01L 21/02至H01L 21/67各组。〔2〕
H01L 21/02·半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕
H01L 21/027··未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕
H01L 21/033···包括无机层的〔5〕
H01L 21/04··至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕
H01L 21/06···器件中的半导体所含有的硒或碲以游离态存在，而不是其他材料在半导体中的杂质〔2〕
H01L 21/08····基板的制备〔2〕
H01L 21/10····硒或碲的预处理及其在基板上的应用，或其组合的后继处理〔2〕
H01L 21/103·····硒或碲导电态的转换〔2〕
H01L 21/105·····硒或碲转换为导电层后的表面处理〔2〕
H01L 21/108·····分立绝缘层的制备，即非生长阻挡层〔2〕
H01L 21/12····把硒或碲加到基板后，在硒或碲的裸露面上加电极〔2〕
H01L 21/14····完整器件的处理，例如用电铸加工形成势垒〔2〕
H01L 21/145·····老化〔2〕
H01L 21/16···具有由氧化亚铜或碘化亚铜组成的半导体的器件〔2〕
H01L 21/18···器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕
附注
即使所用材料没有明确规定，该组仍包含明显适于通过利用合适技术制造或处理其主体含有元素周期表第四族元素或AⅢBⅤ族化合物的器件的工艺或设备。〔7〕
H01L 21/20····半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕
H01L 21/203·····应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射〔2〕
H01L 21/205·····应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积〔2〕
H01L 21/208·····应用液体沉积的〔2〕
H01L 21/22····杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂〔2〕
H01L 21/223·····应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法〔2〕
H01L 21/225·····应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层〔2〕
H01L 21/228·····应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法，例如合金扩散工艺方法〔2〕
H01L 21/24····杂质材料（例如掺杂材料、电极材料）与半导体的合金〔2〕
H01L 21/26····用波或粒子辐射轰击的（热处理入H01L 21/324）〔2〕
H01L 21/261·····产生核反应嬗变化学元素〔6〕
H01L 21/263·····带有高能辐射的（H01L 21/261优先）〔2，6〕
H01L 21/265······产生离子注入的（用于局部处理的离子束管入H01J 37/30）〔2〕
H01L 21/266 ·······应用掩膜的〔5〕
H01L 21/268······应用电磁辐射的，例如激光辐射〔2〕
H01L 21/28····用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕
H01L 21/283·····用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕
H01L 21/285······气体或蒸气的沉积，例如冷凝〔2〕
H01L 21/288······液体的沉积，例如，电解沉积〔2〕
H01L 21/30····用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕
H01L 21/301·····把半导体再细分成分离部分，例如分隔（切割入H01L 21/304）〔6〕
H01L 21/302·····改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕
H01L 21/304······机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕
H01L 21/306······化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L 21/31；绝缘层的后处理入H01L 21/3105）〔2〕
H01L 21/3063·······电解腐蚀〔6〕
H01L 21/3065·······等离子腐蚀；活性离子腐蚀〔6〕
H01L 21/308 ·······应用掩膜的（H01L 21/3063，H01L 21/3065优先）〔2，6〕
H01L 21/31·····在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（形成电极层的入H01L 21/28；密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕
H01L 21/3105······后处理〔5〕
H01L 21/311 ·······绝缘层的刻蚀〔5〕
H01L 21/3115·······绝缘层的掺杂〔5〕
H01L 21/312······有机层，例如光刻胶（H01L 21/3105、H01L 21/32优先）〔2，5〕
H01L 21/314······无机层（H01L 21/3105，H01L 21/32优先）〔2，5〕
H01L 21/316 ·······由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层〔2〕
H01L 21/318 ·······由氮化物组成的无机层〔2〕
H01L 21/32······应用掩膜的〔2，5〕
H01L 21/3205······非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层（器件内部的通电装置入H01L 23/52）；这些层的后处理（电极的制造入H01L 21/28）〔5〕
H01L 21/321 ·······后处理〔5〕
H01L 21/3213········对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层〔6〕
H01L 21/3215········层的掺杂〔5〕
H01L 21/322·····改善其内部性能的，例如产生内部缺陷〔2〕
H01L 21/324·····用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L 21/20至H01L 21/288，H01L 21/302至H01L 21/322优先）〔2〕
H01L 21/326·····电流或电场的应用，例如用于电铸成型的（H01L 21/20至H01L 21/288，H01L 21/302至H01L 21/324优先）〔2〕
H01L 21/328····制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕
H01L 21/329·····包括1个或两个电极的器件，例如二极管〔5〕
H01L 21/33·····包括3个或更多电极的器件〔5〕
H01L 21/331······晶体管〔5〕
H01L 21/332······晶闸管〔5〕
H01L 21/334····制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕
H01L 21/335·····场效应晶体管〔5〕
H01L 21/336······带有绝缘栅的〔5〕
H01L 21/337······带有PN结栅的〔5〕
H01L 21/338······带有肖特基栅的〔5〕
H01L 21/339·····电荷传送器件〔5，6〕
H01L 21/34···具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件〔2〕
H01L 21/36····半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕
H01L 21/363·····应用物理沉积，例如真空沉积、溅射〔2〕
H01L 21/365·····应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积〔2〕
H01L 21/368·····应用液体沉积的〔2〕
H01L 21/38····杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料、电极材料〔2〕
H01L 21/383·····应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法〔2〕
H01L 21/385·····应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层〔2〕
H01L 21/388·····应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法，例如合金扩散工艺方法〔2〕
H01L 21/40····杂质材料，例如掺杂材料，电极材料与半导体的合金〔2〕
H01L 21/42····用辐射轰击的〔2〕
H01L 21/423·····带有高能辐射的〔2〕
H01L 21/425······产生离子注入的（用于局部处理的离子束管入H01J 37/30）〔2〕
H01L 21/426 ·······应用掩膜的〔5〕
H01L 21/428······应用电磁辐射的，例如激光辐射〔2〕
H01L 21/44····用H01L 21/36至H01L 21/428各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕
H01L 21/441·····用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕
H01L 21/443······气体或蒸气的沉积，例如冷凝〔2〕
H01L 21/445······液体的沉积，例如电解沉积〔2〕
H01L 21/447·····包括有运用压力的，例如热压黏结（H01L 21/607优先）〔2〕
H01L 21/449·····包括有运用机械振动的，例如超声振动〔2〕
H01L 21/46····用H01L 21/36至H01L 21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/44）〔2〕
H01L 21/461·····改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕
H01L 21/463······机械处理，例如研磨、超声处理〔2〕
H01L 21/465······化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L 21/469）〔2〕
H01L 21/467 ·······应用掩膜的〔2〕
H01L 21/469······在半导体材料上形成绝缘层的，例如，用于掩膜的或应用光刻技术的（形成电极层的入H01L 21/44；密封层入H01L 21/56）以及这些层的后处理〔2，5〕
H01L 21/47·······有机层，例如光刻胶（H01L 21/475，H01L 21/4757优先）〔2，5〕
H01L 21/471 ·······无机层（H01L 21/475，H01L 21/4757优先） 〔2，5〕
H01L 21/473 ········由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层〔2〕
H01L 21/475 ·······应用掩膜的〔2，5〕
H01L 21/4757·······后处理〔5〕
H01L 21/4763······非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L 21/28）〔5〕
H01L 21/477·····用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L 21/36至H01L 21/449，H01L 21/461至H01L 21/475优先）〔2〕
H01L 21/479·····电流或电场的应用，例如用于电铸成型的（H01L 21/36至H01L 21/449，H01L 21/461至H01L 21/477优先）〔2〕
H01L 21/48···应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器（容器，封装、填料、安装架本身入H01L 23/00）〔2〕
H01L 21/50···应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕
H01L 21/52····半导体在容器中的安装〔2〕
H01L 21/54····在容器中填料，例如气体填料〔2〕
H01L 21/56····封装，例如密封层、涂层〔2〕
H01L 21/58····半导体器件在支架上的安装〔2〕
H01L 21/60····引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕
H01L 21/603·····包括运用压力的，例如热压黏结（H01L 21/607优先）〔2〕
H01L 21/607·····包括运用机械振动的，例如超声振动〔2〕
H01L 21/62··无跃变势垒或表面势垒的器件〔2〕
H01L 21/64·非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理〔2,8〕
H01L 21/66·在制造或处理过程中的测试或测量（制造后的测试或测量入G01R 31/26）〔2〕
H01L 21/67·专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕
H01L 21/673··使用专用的载体的〔8〕
H01L 21/677··用于传送的，例如在不同的工作站之间〔8〕
H01L 21/68··用于定位、定向或对准的 （用于传送的入H01L 21/677）〔2,8〕
H01L 21/683··用于支承或夹紧的（用于传送的入H01L 21/677, 用于定位、定向或对准的入H01L 21/68） 〔8〕
H01L 21/687···使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子〔8〕
H01L 21/70·由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H01L 13/00）〔2〕
H01L 21/71··限定在组H01L 21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕
H01L 21/74···杂质高度集中的埋层的制作，例如集电极埋层、内部连接线〔2〕
H01L 21/76···组件间隔离区的制作〔2〕
H01L 21/761····PN结〔6〕
H01L 21/762····介电区〔6〕
H01L 21/763····多晶硅半导体区〔6〕
H01L 21/764····空气隙〔6〕
H01L 21/765····用场效应的〔6〕
H01L 21/768···利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕
H01L 21/77··在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理〔6〕
H01L 21/78···把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕
H01L 21/782····制造多个器件，每一个由单个电路元件组成（H01L 21/82优先）〔6〕
H01L 21/784·····衬底为半导体的〔6〕
H01L 21/786·····衬底是非半导体的，例如绝缘体〔6〕
H01L 21/82····制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路〔2〕
H01L 21/822·····衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L 21/8258优先）〔6〕
H01L 21/8222······双极工艺〔6〕
H01L 21/8224·······由垂直和横向晶体管组合构成〔6〕
H01L 21/8226·······由合并晶体管逻辑和集成注入逻辑构成〔6〕
H01L 21/8228·······互补器件，例如互补晶体管〔6〕
H01L 21/8229·······存储器结构〔6〕
H01L 21/8232······场效应工艺〔6〕
H01L 21/8234·······MIS工艺〔6〕
H01L 21/8236········增强型和耗尽型晶体管的组合〔6〕
H01L 21/8238········互补场效应晶体管，例如CMOS〔6〕
H01L 21/8239········存储器结构〔6〕
H01L 21/8242·········动态随机存取存储结构（DRAM）〔6〕
H01L 21/8244·········静态随机存取 存 储 结 构
（SRAM）〔6〕
H01L 21/8246·········只读存储器结构（ROM）〔6〕
H01L 21/8247··········电可编程序
的（EPROM） 〔6〕
H01L 21/8248······双极和场效应工艺的结合〔6〕
H01L 21/8249·······双极和MOS工艺〔6〕
H01L 21/8252·····衬底是半导体的，采用Ⅲ-Ⅴ族工艺（H01L 21/8258优先）〔6〕
H01L 21/8254·····衬底是半导体的，采用Ⅱ-Ⅵ族工艺（H01L 21/8258优先）〔6〕
H01L 21/8256·····衬底是半导体的，采用H01L 21/822，H01L 21/ 8252或H01L 21/8254组中不包含的工艺（H01L 21/8258优先）〔6〕
H01L 21/8258·····衬底是半导体的，采用H01L 21/822，H01L 21/8252，H01L 21/8254或H01L 21/8256包含工艺的组合〔6〕
H01L 21/84·····衬底不是半导体的，例如绝缘体〔2，6〕
H01L 21/86······绝缘体是蓝宝石的，例如在蓝宝石上生长硅的结构，即SOS〔2，6〕
H01L 21/98··由在一共用基片内或其上形成的多个固态组元组成的器件的组装；集成电路器件的组装（H01L 21/50优先；组装本身入H01L 25/00）〔2，5〕

H01L 23/00半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕
 附注
本组不包含:
包含在H01L 29/00组内器件的半导体本体或电极的零部件，这些零部件包含在那个组；
仅限于用于H01L 31/00至H01L 51/00各组的任一单个大组内的器件的零部件，这些零部件包含在那些组。
H01L 23/02·容器；封接（H01L 23/12，H01L 23/34，H01L 23/48，H01L 23/552优先）〔2，5〕
H01L 23/04··按外形区分的〔2〕
H01L 23/043···中空容器，并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座〔5〕
H01L 23/045····其他引线具有穿过基座的绝缘通道〔5〕
H01L 23/047····其他引线平行于基座的〔5〕
H01L 23/049····其他引线垂直于基座的〔5〕
H01L 23/051····另一引线由平行于基板的盖板形成，例如夹层型〔5〕
H01L 23/053···中空容器，并有用于半导体本体安装架的绝缘基座〔5〕
H01L 23/055····引线经过基座的〔5〕
H01L 23/057····引线平行于基座的〔5〕
H01L 23/06··按容器的材料或其电性能区分的〔2〕
H01L 23/08···其材料是电绝缘体的，例如玻璃〔2〕
H01L 23/10··按部件间，例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的〔2〕
H01L 23/12·安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕
H01L 23/13··按形状特点进行区分的〔5〕
H01L 23/14··按其材料或它的电性能区分的〔2〕
H01L 23/15···陶瓷或玻璃衬底〔5〕
H01L 23/16·容器中的填充料或辅助构件，例如定心环（H01L 23/42，H01L 23/552优先）〔2，5〕
H01L 23/18··按材料，它的物理或化学性能，或者在其完整器件内以它的配置为特点进行区分的填充料〔2〕
附注
H01L 23/26组优先于H01L 23/20至H01L 23/24各组。〔2〕
H01L 23/20···在该器件的常态工作温度下为气态〔2〕
H01L 23/22···在该器件的常态工作温度下为液态的〔2〕
H01L 23/24···在该器件的常态工作温度下为固态或凝胶状的〔2〕
H01L 23/26···包含对水分或其他有害物质有吸收作用或起反应的材料的〔2〕
H01L 23/28·封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕
H01L 23/29··按材料特点进行区分的〔5〕
H01L 23/31··按配置特点进行区分的〔5〕
H01L 23/32·用于支承处于工作中的完整器件的支座，即可拆卸的夹紧装置（H01L 23/40优先；连接器一般入H01R；用于印刷电路入H05K）〔2，5〕
H01L 23/34·冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕
H01L 23/36··为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕
H01L 23/367···为便于冷却的器件造型〔5〕
H01L 23/373···为便于冷却的器件材料选择〔5〕
H01L 23/38··应用Peltier效应的冷却装置〔2〕
H01L 23/40··用于可拆卸冷却或加热装置的安装或固定装置〔2〕
H01L 23/42··为便于加热或冷却在容器里选择或配置的填料或辅助构件（按用于器件而选择的材料的特点进行区分的入H01L 23/373）〔2，5〕
H01L 23/427···通过物态改变而冷却的，例如使用热管〔5〕
H01L 23/433···按辅助构件的形状进行区分的，例如活塞〔5〕
H01L 23/44··完全浸入流体而不是空气中的完整器件（H01L 23/427优先）〔2，5〕
H01L 23/46··包含有用流动流体传导热的（H01L 23/42，H01L 23/44优先）〔2〕
H01L 23/467···通过流动气体的，例如空气的〔5〕
H01L 23/473···通过流动液体的〔5〕
H01L 23/48·用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线、接线端装置（一般入H01R）〔2〕
H01L 23/482··由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的〔5〕
H01L 23/485···包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头〔5〕
H01L 23/488··由焊接或黏结结构组成〔5，8〕
H01L 23/49···类似线状的〔5〕
H01L 23/492···基片或平板的〔5〕
H01L 23/495···引线框架的〔5〕
H01L 23/498···引线位于绝缘衬底上的〔5〕
H01L 23/50··用于集成电路器件的（H01L 23/482至H01L 23/498优先）〔2，5〕
H01L 23/52·用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕
H01L 23/522··包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕
H01L 23/525···具有可适用互连装置的〔5〕
H01L 23/528···互连结构的布置〔5〕
H01L 23/532···按材料特点进行区分的〔5〕
H01L 23/535··包括内部互连的，例如穿交结构〔5〕
H01L 23/538··制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构（安装架本身入H01L 23/12）〔5〕
H01L 23/544·加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕
H01L 23/552·防辐射保护装置，例如光〔5〕
H01L 23/556··防α射线的〔5〕
H01L 23/58·其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕
H01L 23/60··防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏（一般入H05F）〔5〕
H01L 23/62··防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器〔5〕
H01L 23/64··阻抗装置〔5〕
H01L 23/66···高频匹配器〔5〕

H01L 25/00由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光电池组装件入H01L 31/042；应用太阳电池或太阳电池板的发生器入H02N 6/00；包含在其他小类的完整电路组装件的零部件，例如电视接收机的零部件，见有关小类，例如H04N；一般电组件的组装件的零部件入H05K）〔2，5〕
H01L 25/03·所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕
H01L 25/04··不具有单独容器的器件〔2〕
H01L 25/065···包含在H01L 27/00组类型的器件〔5〕
H01L 25/07···包含在H01L 29/00组类型的器件〔5〕
H01L 25/075···包含在H01L 33/00组类型的器件〔5〕
H01L 25/10··具有单独容器的器件〔2〕
H01L 25/11···包含在H01L 29/00组类型的器件〔5〕
H01L 25/13···包含在H01L 33/00组类型的器件〔5〕
H01L 25/16·包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的〔2，8〕
H01L 25/18·包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件〔5，8〕

H01L 27/00由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（专门适用于该器件或其部件的制造或处理的方法或设备入H01L 21/70，H01L 31/00至H01L 51/00；其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00；一般电组件的组装件入H05K）〔2，8〕
附注
在H01L 27/01至H01L 27/28组中，若无相反指示，则分类入最后适当位置。〔2〕
H01L 27/01·只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件〔3〕
H01L 27/02·包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 〔2〕
H01L 27/04··其衬底为半导体的〔2〕
H01L 27/06···在非重复结构中包括有多个单个组件的〔2〕
H01L 27/07····有源区共用的组件〔5〕
H01L 27/08···只包括有一种半导体组件的〔2〕
H01L 27/082····只包含双极型的组件〔5〕
H01L 27/085····只包含场效应的组件〔5〕
H01L 27/088·····有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕
H01L 27/092······互补MIS场效应晶体管〔5〕
H01L 27/095·····有肖特基势垒栅极场效应晶体管的组件〔5〕
H01L 27/098·····有PN结栅极场效应晶体管的组件〔5〕
H01L 27/10···在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕
H01L 27/102····包含双极型组件的〔5〕
H01L 27/105····包含场效应组件的〔5〕
H01L 27/108·····动态随机存取存储结构的〔5〕
H01L 27/11·····静态随机存取存储结构的〔5〕
H01L 27/112·····只读存储器结构的〔5〕
H01L 27/115······电动编程只读存储器〔5〕
H01L 27/118····母片集成电路〔5〕
H01L 27/12··其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕
H01L 27/13···与薄膜或厚膜无源组件相组合的〔3〕
H01L 27/14· 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕
H01L 27/142··能量转换器件〔5〕
H01L 27/144··由辐射控制的器件〔5〕
H01L 27/146···图像结构〔5〕
H01L 27/148····电荷耦合图像器件〔5〕
H01L 27/15·包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件〔2〕
H01L 27/16·包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的（仅将Peltier效应用于半导体或其他固态器件进行冷却的入H01L 23／38）〔2〕
H01L 27/18·包括有呈现超导电性的组件的〔2〕
H01L 27/20·包括有压电组件的；包括有电致伸缩组件的；包括有磁致伸缩组件的〔2，7〕
H01L 27/22·包括有利用电—磁效应的组件的，例如霍尔效应；应用类似磁场效应的〔2〕
H01L 27/24·包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大，或切换的固态组件的〔2〕
H01L 27/26·包括有体负阻效应组件的〔2〕
H01L 27/28· 包括使用有机材料作为有源部分，或使用有机材料与其他材料的组合作为有源部分的组件〔8〕
H01L 27/30·· 具有专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射的器件；具有专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的组件〔8〕
H01L 27/32·· 具有专门适用于光发射的组件，例如使用有机发光二极管的平板显示器〔8〕

H01L 29/00专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备入H01L 21/00；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；一般电阻器入H01C；一般电容器入H01G） 〔2，6〕
附注
在本大组中,如果发明与H01L 29/02、H01L 29/40、H01L 29/66各组都相关，则发明分类入所有上述组。 〔2〕
H01L 29/02·按其半导体本体的特征区分的〔2〕
H01L 29/04··按其晶体结构区分的，例如多晶的、立方体的、晶面特殊取向的（有缺陷的入H01L 29/30）〔2〕
H01L 29/06··按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕
H01L 29/08···具有连接到1个通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的〔2〕
H01L 29/10···具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的〔2〕
H01L 29/12··按其构成材料的特征区分的〔2〕
H01L 29/15···带有周期性或准周期性电势变化的结构，如多量子阱、超晶格（应用于光控制的这种结构入G02F 1/017，应用于半导体激光器的入H01S 5/34）〔6〕
附注
H01L 29/15优先于H01L 29/16至H01L 29/26各组。〔6〕
H01L 29/16···除掺杂材料或其他杂质外，只包括以游离态存在的周期系中第Ⅳ族元素的〔2〕
H01L 29/161····包含在H01L 29/16组中的两种或更多种元素的〔2〕
H01L 29/165·····在不同半导体区域中的〔2〕
H01L 29/167····进一步按掺杂材料的特征区分的〔2〕
H01L 29/18···除掺杂材料或其他杂质外只包括硒或碲的〔2〕
H01L 29/20···除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅢBⅤ化合物的〔2，6〕
H01L 29/201····包括两种或更多种化合物的〔2〕
H01L 29/205·····在不同半导体区域中的〔2〕
H01L 29/207····进一步按掺杂材料的特征区分的〔2〕
H01L 29/22···除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅡBⅥ化合物的〔2〕
H01L 29/221····包括两种或更多种化合物的〔2〕
H01L 29/225·····在不同半导体区域中的〔2〕
H01L 29/227····进一步按掺杂材料的特征区分的〔2〕
H01L 29/24···除掺杂材料或其他杂质外，只包括包含在H01L 29/16，H01L 29/18，H01L 29/20，H01L 29/22各组中的无机半导体材料的（含有有机材料入H01L 51/00） 〔2〕
H01L 29/26···除掺杂材料或其他杂质外，包括有包含在H01L 29/16，H01L 29/18，H01L 29/20，H01L 29/22，H01L 29/24各组中两组或更多个组内的元素的〔2〕
H01L 29/267····在不同半导体区域中的〔2〕
H01L 29/30··按物理缺陷的特征区分的；具有光泽表面或粗糙表面的〔2〕
H01L 29/32···缺陷在半导体体内的〔2〕
H01L 29/34···缺陷在半导体表面的〔2〕
H01L 29/36··按杂质的浓度或分布特征区分的〔2〕
H01L 29/38··以包含在H01L 29/04，H01L 29/06，H01L 29/12，H01L 29/30，H01L 29/36各组中两组或更多个组所给出的特征的组合为特点进行区分的〔2〕
H01L 29/40·按其电极特征区分的〔2〕
H01L 29/41··以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕
H01L 29/417···通有待整流、放大或切换电流的〔6〕
H01L 29/423···不通有待整流、放大或切换电流的〔6〕
H01L 29/43··以形成材料为特征的〔6〕
H01L 29/45···欧姆电极〔6〕
H01L 29/47···肖特基势垒电极〔6〕
H01L 29/49···金属绝缘体半导体电极〔6〕
H01L 29/51····与其相关的绝缘材料〔6〕
H01L 29/66·按半导体器件的类型区分的〔2〕
H01L 29/68··只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕
H01L 29/70···双极器件〔2〕
H01L 29/72····晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕
H01L 29/73·····双极结型晶体管〔5〕
H01L 29/732······纵向晶体管〔6〕
H01L 29/735······横向晶体管〔6〕
H01L 29/737······异质结晶体管〔6〕
H01L 29/739·····受场效应控制的〔6〕
H01L 29/74····晶闸管型器件，如具有四区再生作用的〔2〕
H01L 29/744·····栅极关断型器件〔6〕
H01L 29/745······由场效应关断的〔6〕
H01L 29/747·····双向型器，如双向三端晶闸管〔2〕
H01L 29/749·····由场效应关断的〔6〕
H01L 29/76···单极器件〔2〕
H01L 29/762····电荷转移器件〔6〕
H01L 29/765·····电荷耦合器件〔6〕
H01L 29/768······具有由绝缘栅产生的场效层的〔6〕
H01L 29/772····场效应晶体管〔6〕
H01L 29/775·····带有一维载流子气沟道的，如量子线FET〔6〕
H01L 29/778·····带有二维载流子气沟道的，如HEMT〔6〕
H01L 29/78·····由绝缘栅产生场效应的〔2〕
H01L 29/786······薄膜晶体管〔6〕
H01L 29/788······带有浮栅的〔5〕
H01L 29/792······带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管〔5〕
H01L 29/80·····由PN结或其他整流结栅产生场效应的〔2〕
H01L 29/808······带有PN结栅的〔5〕
H01L 29/812······带有肖特基栅的〔5〕
H01L 29/82··通过施加于器件的磁场变化可控的（H01L 29/96优先）〔2，6〕
H01L 29/84··通过所施加的机械力，如压力的变化可控的（H01L 29/96优先）〔2，6〕
H01L 29/86··只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕
H01L 29/8605···带有PN结的电阻器〔6〕
H01L 29/861···二极管〔6〕
H01L 29/862····点接触二极管〔6〕
H01L 29/864····渡越时间二极管，如IMPATT、TRAPATT二极管〔6〕
H01L 29/866····齐纳二极管〔6〕
H01L 29/868····PIN二极管〔6〕
H01L 29/87····晶体闸流二极管，如肖克莱二极管、穿通二极管〔6〕
H01L 29/872····肖特基二极管〔6〕
H01L 29/88····隧道效层二极管〔2〕
H01L 29/885·····江崎二极管〔6〕
H01L 29/92···有电位跃变势垒或表面势垒的电容器〔2〕
H01L 29/93····电容量可变的二极管，例如变容二极管〔2〕
H01L 29/94····金属—绝缘体—半导体，例如MOS〔2〕
H01L 29/96··包含在多于一个小组H01L 29/68，H01L 29/82，H01L 29/84或H01L 29/86中的类型的〔2〕

H01L 31/00对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00；覆盖屋顶面的能量收集器件入E04D 13/18；利用太阳能产生热的入F24J 2/00；用半导体监测器测量X辐射、γ辐射、微粒辐射或宇宙辐射的入G01T 1/24；用电阻监测器的入G01T 1/26；用半导体监测器测量中子辐射的入G01T 3/08；光导与光电子元件的耦合入G02B 6/42；从放射源获取能量的入G21H） 〔2，6，8〕
H01L 31/02·零部件〔2〕
H01L 31/0203··容器；封装〔5〕
H01L 31/0216··涂层〔5〕
H01L 31/0224··电极〔5〕
H01L 31/0232··与该器件有关的光学元件或设备〔5〕
H01L 31/0236··特殊表面结构〔5〕
H01L 31/024··冷却、加热、通风或温度补偿设备〔5〕
H01L 31/0248·以其半导体本体为特征的〔5〕
H01L 31/0256··以材料为特征的〔5〕
H01L 31/0264···无机材料〔5〕
H01L 31/0272····硒或碲〔5〕
H01L 31/028····除掺杂或其他杂质外，只包含周期表第Ⅳ族元素的〔5〕
H01L 31/0288·····以掺杂材料为特征的〔5〕
H01L 31/0296····除掺杂或其他杂质外，只包含AⅡBⅥ化合物，如CdS、ZnS、HgCdTe〔5〕
H01L 31/0304····除掺杂或其他杂质外，只包含AⅢBⅤ化合物的〔5〕
H01L 31/0312····除掺杂或其他杂质外，只包含AⅣBⅣ化合物的，如SiC〔5〕
H01L 31/032····除掺杂或其他杂质外，只包含未列入H01L 31/0272至H01L 31/0312各组的化合物〔5〕
H01L 31/0328····除掺杂或其他杂质外，包含已列入H01L 31/0272至H01L 31/032组中两组或更多个组的半导体材料〔5〕
H01L 31/0336·····在不同半导体区域的，如Cu2X/CdX异质结，X为周期表中的Ⅵ族元素〔5〕
H01L 31/0352··以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕
H01L 31/036··以其晶体结构或以结晶面的特殊取向为特征的〔5〕
H01L 31/0368···包含多晶半导体的（H01L 31/0392优先）〔5〕
H01L 31/0376···包含非晶半导体的（H01L 31/0392优先）〔5〕
H01L 31/0384···包含其他非单晶材料的，如埋入绝缘材料中的半导体颗粒（H01L 31/0392优先）〔5〕
H01L 31/0392···包含沉积在金属或绝缘体衬底上的薄膜〔5〕
H01L 31/04·用作转换器件的〔2〕
H01L 31/042··包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列〔5〕
H01L 31/045···可收缩的或可折叠的〔5〕
H01L 31/048···封装的或有外壳的〔5〕
H01L 31/05···以特殊互连装置为特征的〔5〕
H01L 31/052···具有冷却、反光或集光装置的〔5〕
H01L 31/055····在光吸收处，由集光体，如由发光材料，再发射不同波长的光〔5〕
H01L 31/058···包括使用热能的装置的，例如混合系统或辅助电能源（使用太阳热本身入F24J 2/00）〔5〕
H01L 31/06··特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的〔2〕
H01L 31/062···只是金属—绝缘体—半导体型势垒的〔5〕
H01L 31/065···只是带宽渐变型势垒的〔5〕
H01L 31/068···只是PN单质结型势垒的〔5〕
H01L 31/07···只是肖特基型势垒的〔5〕
H01L 31/072···只是PN异质结型势垒的〔5〕
H01L 31/075···只是PIN型势垒的〔5〕
H01L 31/078···包含已列入H01L 31/062至H01L 31/075组中两组或更多组的势垒〔5〕
H01L 31/08·其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕
H01L 31/09··对红外、可见或紫外辐射敏感的器件（H01L 31/101优先）〔5〕
H01L 31/10··特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕
H01L 31/101···对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕
H01L 31/102····仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕
H01L 31/103·····为PN单质结型势垒的〔5〕
H01L 31/105·····为PIN型势垒的〔5〕
H01L 31/107·····以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管〔5〕
H01L 31/108·····为肖特基型势垒的〔5〕
H01L 31/109·····为PN异质结型势垒的〔5〕
H01L 31/11····以两个势垒或面垒为特征的，如双极光晶体管〔5〕
H01L 31/111····以至少3个势垒为特征的，如光敏晶体闸流管〔5〕
H01L 31/112····以场效应工作为特征的，如结型场效应光敏晶体管〔5〕
H01L 31/113·····为导体—绝缘体—半导体型的，如金属—绝缘体—半导体场效应晶体管〔5〕
H01L 31/115···对很短波长，如X射线、γ射线或微粒子辐射敏感的器件〔5〕
H01L 31/117····体效应辐射探测器型的，如Ge-Li补偿PINγ射线探测器〔5〕
H01L 31/118····面垒或浅PN结型的，如面垒α粒子探测器〔5〕
H01L 31/119····以场效应工作为特征的，如MIS型探测器〔5〕
H01L 31/12·与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的（具有至少一个专门适用于光发射的势垒或表面势垒的半导体器件入H01L 33/00；使用场致发光元件和光电池的放大器入H03F 17/00；场致发光光源本身入H05B 33/00） 〔2，5〕
H01L 31/14··由对辐射敏感的半导体器件控制的单光源或多光源，例如图像变换器、图像放大器、图像存储器件〔2〕
H01L 31/147···对辐射敏感的光源和器件，均为以至少一个势垒或面垒为特征的半导体器件〔5〕
H01L 31/153····在一个公共衬底之内或之上形成的〔5〕
H01L 31/16··由单光源或多光源控制的对辐射敏感的半导体器件〔2〕
H01L 31/167···对辐射敏感的光源或器件，均为以至少一个势垒或面垒为特征的半导体器件〔5〕
H01L 31/173····在一个公共衬底之内或之上形成的〔5〕
H01L 31/18·专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L 21/00）〔2〕
H01L 31/20··包含非晶半导体材料的器件及器件的部件〔5〕

H01L 33/00具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射，如红外线发射的半导体器件；制造或处理这些半导体器件或其部件所特有的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/50 优先；由在一个公共衬底中或其上形成的多个组件组成的器件入H01L 27/00；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42；半导体激光器入H01S 5/00；场致发光光源本身入H05B 33/00） 〔2，8〕

H01L 35/00包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；利用电或磁效应的制冷机器入F25B 21/00；应用热电或热磁元件的温度测量入G01K 7/00；从放射源中获取能量的入G21H）〔2〕
H01L 35/02·零部件〔2〕
H01L 35/04··结点的结构零部件；引线的连接〔2〕
H01L 35/06···可拆开的，例如应用一个弹簧的〔2〕
H01L 35/08···不可拆开的，例如胶结的、烧结的、焊接的〔2〕
H01L 35/10···引线的连接〔2〕
H01L 35/12·结点引出线材料的选择〔2〕
H01L 35/14··应用无机合成物的〔2〕
H01L 35/16···包含有碲或硒或硫的〔2〕
H01L 35/18···包含有砷或锑或铋的（H01L 35/16优先）〔2〕
H01L 35/20···只包含有金属的（H01L 35/16，H01L 35/18优先）〔2〕
H01L 35/22···包含硼、碳、氧或氮的化合物的〔2〕
H01L 35/24··应用有机合成物的〔2〕
H01L 35/26··应用连续或不连续改变材料内部成分的〔2〕
H01L 35/28·只利用Peltier或Seebeck效应进行工作的〔2〕
H01L 35/30··按在结点处进行热交换的方法区分的〔2〕
H01L 35/32··按构成器件的电池或热电偶的结构或排列区分的〔2〕
H01L 35/34·专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L 21/00）〔2〕

H01L 37/00不具有不同材料结点的热电器件；热磁器件，例如应用Nernst-Ettinghausen效应的；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用热电或热磁元件的温度测量入G01K 7/00；用于磁场记录仪的材料的选择，例如用于记录居里点的入G03G 5/00） 〔2〕

H01L 37/02·利用介电常数的热变化的，例如在居里点以上或以下工作的〔2〕
H01L 37/04·利用导磁率的热变化的，例如在居里点以上或以下工作的〔2〕

H01L 39/00应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；按陶瓷形成的工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00；超导或高导体、电缆或传输线入H01B 12/00；超导线圈或绕组入H01F；利用超导电性的放大器入H03F 19/00）〔2，4〕
H01L 39/02·零部件〔2〕
H01L 39/04··容器；安装架〔2〕
H01L 39/06··以电流通路为特征的〔2〕
H01L 39/08··以元件的外形为特征的〔2〕
H01L 39/10··以切换的方法为特征的〔2〕
H01L 39/12··以材料为特征的〔2〕
H01L 39/14·永久超导体器件〔2〕
H01L 39/16·在超导电和正常导电状态之间可切换的器件〔2〕
H01L 39/18··冷子管〔2〕
H01L 39/20···功率冷子管〔2〕
H01L 39/22·包含有一个不同材料结点的器件，例如约瑟夫逊效应器件〔2〕
H01L 39/24·专门适用于制造或处理包含在H01L 39/00组内的器件或其部件的方法或设备（半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L 21/00；从其他材料分离出超导材料的磁性分离，如用迈斯纳效应的入B03C 1/00）〔2〕

H01L 41/00一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件（由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00） 〔2〕
附注
1本组不包括已包含在相关位置的具有特殊目的的元件〔6〕
2注意下列各位置：〔6〕
B06B对用于产生或传递机械振动的适配物〔6〕
G01 用于测量的传感器，如敏感元件〔6〕
G04C，G04F 适合用在时间间隔的传感器〔6〕
G10K 用于产生或传播声音的适配物〔6〕
H02N 在电机中的元件装置〔6〕
H03H 9/00 包括机电或电声元件的网络，如谐振电路〔6〕
H04R 扬声器、送话器、唱机拾音器或类似的传感器〔6〕
H01L 41/02·零部件〔2〕
H01L 41/04··压电器件的或电致伸缩器件的〔2〕
H01L 41/047···电极〔6〕
H01L 41/053···安装架、支架、封装或外壳〔6〕
H01L 41/06··磁致伸缩器件的〔2〕
H01L 41/08·压电器件或电致伸缩器件〔2〕
H01L 41/083··具有堆叠或多层结构的〔6〕
H01L 41/087··形成同轴电缆的〔6〕
附注
H01L 41/083和H01L 41/087优先于H01L 41/09至H01L 41/113各组。〔6〕
H01L 41/09··带有电输入与机械输出的〔5〕
H01L 41/107··带有电输入与电输出的〔5〕
H01L 41/113··带有机械输入与电输出的〔5〕
H01L 41/12·磁致伸缩器件〔2〕
H01L 41/16·材料的选择〔2〕
H01L 41/18··用于压电器件或电致伸缩器件的〔2〕
H01L 41/187···陶瓷合成物〔5〕
H01L 41/193···高分子合成物〔5〕
H01L 41/20··用于磁致伸缩器件的〔2〕
H01L 41/22·专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L 21/00）〔2〕
H01L 41/24··陶瓷合成物器件〔5〕
H01L 41/26··高分子合成物器件〔5〕

H01L 43/00应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；带有通过磁场的变化可以进行控制的电位跃变势垒或表面势垒的器件入H01L 29/82） 〔2〕
H01L 43/02·零部件〔2〕
H01L 43/04··霍尔效应器件的〔2〕
H01L 43/06·霍尔效应器件〔2〕
H01L 43/08·磁场控制的电阻器〔2〕
H01L 43/10·材料的选择〔2〕
H01L 43/12·专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（半导体或固态器件或其部件的一般制造或处理入H01L 21/00）〔2〕
H01L 43/14··用于霍尔效应器件的〔2〕

H01L 45/00无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00） 〔2〕
H01L 45/02·固态行波器件〔2〕

H01L 47/00体负阻效应器件，例如耿氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00） 〔2〕
H01L 47/02·耿氏效应器件〔2〕

H01L 49/00不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00） 〔2,8〕
H01L 49/02·薄膜或厚膜器件〔2〕

H01L 51/00使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备（由在一个公共衬底中或其上形成的多个组件组成的器件入H01L 27/28; 使用有机材料的热电器件入H01L 35/00, H01L 37/00；使用有机材料的压电、电致伸缩或磁致伸缩元件入H01L 41/00）〔6，8〕
H01L 51/05·专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器〔8〕
H01L 51/10··器件的零部件〔6〕
H01L 51/20（转入H01L 51/05, H01L 51/42, H01L 51/50）
H01L 51/30··材料的选择〔6〕
H01L 51/40··专门用于制造或处理这种器件或其部件的方法和设备〔6，8〕
H01L 51/42·专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕
H01L 51/44··器件的零部件〔8〕
H01L 51/46··材料的选择〔8〕
H01L 51/48··专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕
H01L 51/50·专门适用于光发射的，如有机发光二极管 （OLED）或聚合物发光器件（PLED） （有机半导体激光器入 H01S 5/36） 〔8〕
H01L 51/52··器件的零部件〔8〕
H01L 51/54·· 材料选择（有机发光材料入C09K 11/06）〔8〕
H01L 51/56··专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕