(基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如H01L 27/108至H01L 27/115；一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入 H03K 17/00)
    附注
1   本小类包括用于数字或模拟信息存储的器件或装置；
i 其中在信息存储元件和传感器之间不发生任何相对运动；
ii 其器件或装置结合有用于向存储器写入信息或从存储器中读出信息的选择器件。
  2本小类不包括不适于存储用的元件而且不包含有如以下附注3所定义的装置，将那些元件分入适当的小类中，例如，H01,H03K。
3在本小类中，以下所用的术语具有指明的意思：〔8〕
“存储元件”是一种能保存至少一条信息条目并带有写入或读出这条信息手段的元件；〔8〕
“存储器”是一种包括存储元件的装置，它能保存在需要的时候被提取的信息。〔8〕

小类索引
信息的写或读7/00
地址选择8/00
按元件类型区分的数字存储器
　　电、磁类型的及其零部件11/00；5/00
　　机械类型的23/00
　　流体类型的25/00
　　其他类型的13/00
按备份装置的特征区分的数字存储器14/00
可擦除的可编程序只读存储器16/00
按信息位移的特征区分的数字存储器
　　移位；循环19/00；21/00
按功能特征区分的数字存储器
　　相关联的；模拟的；只用于读出的15/00；27/00；17/00
存储器的校验29/00
本小类其他各组中不包含的技术主题99/00

G11C 5/00包括在G11C 11/00组中的存储器零部件
G11C 5/02·存储元件的排列，例如，矩阵形式的排列
G11C 5/04··存储元件的支架；存储元件在支架上的安装或固定
G11C 5/05···矩阵中磁芯的支撑〔2〕
G11C 5/06·存储元件电的互相连接的装配，例如，通过布线的互连
G11C 5/08··用于磁性元件（例如环形磁芯）的互连
G11C 5/10··用于电容器的互连
G11C 5/12·用于存储元件互连的设备或方法，例如磁芯的穿线
G11C 5/14·电源装置(用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193；一般入G05F，H02J，H02M)〔5，7〕

G11C 7/00数字存储器信息的写入或读出装置(G11C 5/00优先； 用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193)〔2，5〕
G11C 7/02·有避免寄生信号的装置的
G11C 7/04·有避免由于温度效应引起干扰的装置的
G11C 7/06·读出放大器；相关的电路(放大器本身入H03F，H03K) 〔1，7〕
G11C 7/08··其控制〔7〕
G11C 7/10·输入/输出(I/O)数据接口装置，例如，I/O数据控制电路，I/O数据缓冲器(电平转换电路一般入H03K 19/0175) 〔7〕
G11C 7/12·位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路〔7〕
G11C 7/14·哑单元管理；读取基准电压发生器〔7〕
G11C 7/16·采用包括模拟/数字(A/D)转换器、数字存储器和数字/模拟(D/A)转换器的装置以数字存储的方式存储模拟信号〔7〕
G11C 7/18·位线组织；位线布局〔7〕
G11C 7/20·存储器单元初始化电路，例如当加电或断电时的存储器清除，潜像存储器〔7〕
G11C 7/22·读写(R—W)定时或计时电路；读写(R—W)控制信号发生器或管理〔7〕
G11C 7/24·存储器单元安全或保护电路，例如，用于防止无意中的读或写的装置；状态单元；测试单元〔7〕

G11C 8/00数字存储器中用于地址选择的装置(用于使用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193)〔2，5〕
G11C 8/02·应用选择矩阵的〔2〕
G11C 8/04·采用时序寻址器件的，例如，移位寄存器、计数器(采用用于改变数字数据流速度的先进先出(FIFO)寄存器的入G06F 5/06；采用用于通过对其顺序进行操作来处理数字数据的后进先出(LIFO)寄存器的入G06F 7/00) 〔5〕
G11C 8/06·地址接口装置，例如，地址缓冲器(电平转换电路一般入H03K 19/0175) 〔7〕
G11C 8/08·字线控制电路，例如，用于字线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路〔7〕
G11C 8/10·译码器〔7〕
G11C 8/12·组选择电路，例如，用于存储器块选择、芯片选择、阵列选择〔7〕
G11C 8/14·字线组织；字线布局〔7〕
G11C 8/16·多级存取存储器阵列，例如，通过至少两个独立的寻址线组寻址一个存储器单元〔7〕
G11C 8/18·地址定时或计时电路；地址控制信号发生或管理，例如，用于行地址选通(RAS)或列地址选通(CAS)信号的〔7〕
G11C 8/20·地址安全或保护电路，即，用于防止未授权或意外访问的装置〔7〕

G11C 11/00以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件(G11C 14/00至G11C 21/00优先)〔5〕
附注
G11C 11/56组优先于G11C11/02 至G11C11/54中各组。〔2〕
G11C 11/02·应用磁性元件的
G11C 11/04··应用圆筒形存储元件的，例如，磁杆、磁线(G11C 11/12，G11C 11/14优先)〔2〕
G11C 11/06··应用单孔存储元件的，例如，环形磁芯；应用多孔板的，其中板上的每个单孔形成一个存储元件
G11C 11/061···应用单孔或磁环存储元件的，每“位”(即每bit，二进制信息单位)一个元件，并且用于破坏性读出的〔2〕
G11C 11/063····按“位”编制的，诸如2L/2D，3D制，即借助于用于读又用于写的至少两等分的电流选用一个元件的〔2〕
G11C 11/065····按“字”编制的，诸如2D制或线性选择，即借助于用于读的单个全电流选用一个“字”的所有元件的〔2〕
G11C 11/067···应用单孔或磁环存储元件的，每“位”一个元件，并且用于非破坏性读出的〔2〕
G11C 11/08··应用多孔存储元件的，例如，应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件并合起来的板(G11C 11/10优先；应用每个单孔形成一个存储元件的多孔板的入G11C 11/06)〔2〕
G11C 11/10··应用多轴存储元件的
G11C 11/12··应用磁张线的；应用磁扭线的，即一个磁化轴被扭弯的元件
G11C 11/14··应用薄膜元件的
G11C 11/15···应用多层磁性层的(G11C 11/155优先)〔2〕
G11C 11/155···有圆筒状结构的〔2〕
G11C 11/16··应用磁自旋效应的存储元件的
G11C 11/18·应用霍尔效应器件的
G11C 11/19·在谐振电路中应用非线性电抗器件的〔2〕
G11C 11/20··应用参量管的〔2〕
G11C 11/21·应用电元件的〔2〕
G11C 11/22··应用铁电元件的〔2〕
G11C 11/23··在公共层采用静电存储的，例如，Forrester—Haeff管(G11C 11/22优先) 〔2〕
G11C 11/24··应用电容器的(G11C 11/22优先；使用半导体器件与电容器相结合的入G11C 11/34，例如，G11C 11/40)〔2，5〕
G11C 11/26··应用放电管的〔2〕
G11C 11/28···应用充气管的〔2〕
G11C 11/30···应用真空管的(G11C 11/23优先)〔2〕
G11C 11/34··应用半导体器件的〔2〕
G11C 11/35···在耗尽层中采用电荷存储的，例如，电荷耦合器件〔7〕
G11C 11/36···应用二极管的，例如，阈值元件〔2〕
G11C 11/38····应用隧道二极管的〔2〕
G11C 11/39···使用可控硅的〔5〕
G11C 11/40···应用晶体管的〔2〕
G11C 11/401····形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕
G11C 11/402·····对每个存储单元单个进行电荷再生的，即，内部刷新〔5〕
G11C 11/403·····对多个存储单元共同进行电荷再生的，即，外部刷新〔5〕
G11C 11/404······有一个电荷传输门的，例如每个单元一个MOS晶体管〔5〕
G11C 11/405······有三个电荷传输门的，例如每个单元多个MOS晶体管〔5〕
G11C 11/406·····刷新或电荷再生周期的管理或控制〔5〕
G11C 11/4063·····辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的〔7〕
G11C 11/4067······用于双极型存储单元的〔7〕
G11C 11/407······用于场效应型存储单元的〔5〕
G11C 11/4072·······用于初始化、加电或断电、清除存储器或预置的电路〔7〕
G11C 11/4074·······电源或电压发生电路，例如，偏置电压发生器、衬底片电压发生器、后备电源、电源控制电路〔7〕
G11C 11/4076·······定时电路(用于再生管理的入G11C 11/406) 〔7〕
G11C 11/4078·······安全或保护电路，例如，用于防止无意的或非法的读或写；状态单元；测试单元（校验或测试期间存储器内容的保护入G11C 29/52）（7）
G11C 11/408·······寻址电路〔5〕
G11C 11/409·······读写(R-W)电路〔5〕
G11C 11/4091········读出或读出/刷新放大器，或相关的读出电路，例如用于耦合位线预充电、均衡或隔离的〔7〕
G11C 11/4093········输入/输出(I/O)数据接口装置，例如，数据缓冲器(电平转换电路一般入H03K 19/0175) 〔7〕
G11C 11/4094········位线管理或控制电路〔7〕
G11C 11/4096········输入/输出(I/O)数据管理或控制电路，例如读或写电路、I/O驱动器、位线开关〔7〕
G11C 11/4097········位线组织，例如位线布局、折叠位线〔7〕
G11C 11/4099········哑单元处理；基准电压发生器〔7〕
G11C 11/41····用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特(Schmitt)触发器〔5〕
G11C 11/411·····只使用双极晶体管的〔5〕
G11C 11/412·····只使用场效应晶体管的〔5〕
G11C 11/413·····辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕
G11C 11/414······用于双极型存储单元的〔5〕
G11C 11/415·······寻址电路〔5〕
G11C 11/416·······读写(R-W)电路〔5〕
G11C 11/417······用于场效应型存储单元的〔5〕
G11C 11/418·······寻址电路〔5〕
G11C 11/419·······读写(R-W)电路〔5〕
G11C 11/4193···专用于特定类型的半导体存储器件的辅助电路，例如，用于寻址的、驱动的、读出的、定时的、供电的、信号传播的（G11C 11/4063，G11C 11/413优先）〔7〕
G11C 11/4195····寻址电路〔7〕
G11C 11/4197····读写(R—W)电路〔7〕
G11C 11/42··使用光电器件的，即，电耦合或光耦合的光发射器件及光电器件
G11C 11/44··应用超导元件的，例如冷子管〔2〕
G11C 11/46·应用热塑性元件的
G11C 11/48·应用可替换的耦合元件的，例如，在互感或自感的不同状态之间作变动的铁磁磁芯
G11C 11/50·应用电触点的动作来存储信息的(机械存储器入G11C 23/00；通过操作部件的单一手控动作，给出其触点连续操作的一个经挑选的数字的开关入H01H 41/00)
G11C 11/52··应用电磁继电器的
G11C 11/54·应用模仿生物细胞的元件的，例如，模仿神经细胞的元件
G11C 11/56·使用具有按级表示的多于两个稳态的存储元件的，如，电压、电流、相位、频率的(由这种形式的多稳态元件组成的计数装置入H03K 25/00，H03K 29/00)〔2〕

G11C 13/00特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器
G11C 13/02·使用其操作取决于化学变化的存储元件的数字存储器(应用电化学变化的入G11C 11/00)
G11C 13/04·使用光学元件的数字存储器
G11C 13/06··应用磁光元件(一般磁光元件入G02F)〔2〕

G11C 14/00按照当电源掉电时用于后备的具有易失及非易失存储特性的单元装置的特征区分的数字存储器〔5〕

G11C 15/00所存储的信息是由一个或多个被写入的特征部分所组成并且该信息是通过搜索一个或多个这些特征部分进行读出的数字存储器，即相关存储器或内容编址存储器(其中对特定单元信息编址的入G11C 11/00)〔2〕
G11C 15/02·应用磁性元件的 〔2〕
G11C 15/04·应用半导体元件的 〔2〕
G11C 15/06·应用低温元件的〔2〕

G11C 16/00可擦除可编程序只读存储器(G11C 14/00优先)〔5〕
G11C 16/02·电可编程序的〔5〕
G11C 16/04··使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS〔5〕
G11C 16/06··辅助电路，例如，用于写入存储器的(一般入G11C 7/00)〔5〕
G11C 16/08···地址电路；译码器；字线控制电路〔7〕
G11C 16/10···编程或数据输入电路〔7〕
G11C 16/12····编程电压开关电路〔7〕
G11C 16/14····用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路〔7〕
G11C 16/16·····用于擦除块的，例如，阵列、字、组〔7〕
G11C 16/18····用于光擦除的电路〔7〕
G11C 16/20····初始化；数据预置；芯片识别〔7〕
G11C 16/22···防止对存储单元的未授权或意外访问的安全或保护电路〔7〕
G11C 16/24···位线控制电路〔7〕
G11C 16/26···读出或读电路；数据输出电路〔7〕
G11C 16/28····应用差分读出或基准单元，例如，哑单元〔7〕
G11C 16/30···供电电路〔7〕
G11C 16/32···定时电路〔7〕
G11C 16/34···编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留〔7〕

G11C 17/00只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如，手动可替换信息卡片的(可擦的可编程序只读存储器入G11C 16/00；编码；译码或代码转换一般入H03M)〔2，5〕
G11C 17/02·应用磁性或电感性元件的，(G11C 17/14优先)〔2，5〕
G11C 17/04·应用电容性元件的(G11C 17/06，G11C 17/14优先)〔2，5〕
G11C 17/06·应用二极管元件的(G11C 17/14优先)〔2，5〕
G11C 17/08·应用半导体器件的，例如，双极性元件(G11C 17/06，G11C 17/14优先)〔5〕
G11C 17/10··在制造过程中用耦合元件的预定排列确定其存储内容的，例如掩膜式可编程序的ROM〔5〕
G11C 17/12···应用场效应器件的〔5〕
G11C 17/14·通过有选择地建立、断开或修改能永久变更耦合元件状态的连接链路确定其存储内容的，例如，PROM〔5〕
G11C 17/16··应用电可熔链路的〔5〕
G11C 17/18··辅助电路，例如，用于写入存储器的(一般入G11C 7/00)〔5〕

G11C 19/00所存储的信息是步进移动的数字存储器，例如，移位寄存器(计数链的入H03K 23/00)
G11C 19/02·应用磁性元件的(G11C 19/14优先)〔2〕
G11C 19/04··应用单孔磁芯或磁环的〔2〕
G11C 19/06··应用多孔或多磁环结构的，例如，多孔磁芯存储器〔2〕
G11C 19/08··应用平面结构薄膜的〔2〕
G11C 19/10··应用圆棒薄膜的；用磁扭线的〔2〕
G11C 19/12·在谐振电路中应用非线性电抗器件的〔2〕
G11C 19/14·应用与有源元件相组合的磁性元件的，例如，与放电管、半导体元件相组合的(G11C 19/34优先)〔2，7〕
G11C 19/18·应用电容器作为各级主要元件的〔2〕
G11C 19/20·应用放电管的(G11C 19/14优先) 〔2〕
G11C 19/28·应用半导体元件的(G11C 19/14，G11C 19/36优先)〔2，7〕
G11C 19/30·应用光—电器件的，即光发射器件和电耦合或光耦合的光电器件〔2〕
G11C 19/32·应用超导元件的〔2〕
G11C 19/34·应用带有由例如电压、电流、相位、频率分级表示的两个以上稳定状态的存储元件的〔7〕
G11C 19/36··应用半导体元件的〔7〕
G11C 19/38·二维移位寄存器，例如水平和垂直的〔7〕

G11C 21/00所存储的信息是循环流动的数字存储器(步进移动的入G11C 19/00)
G11C 21/02·应用机电延迟线的，例如，应用汞槽

G11C 23/00以影响存储的机械配件的运动为特征的数字存储器，例如，使用滚珠的；为此所用的存储元件(通过致动触点进行存储的入G11C 11/48)

G11C 25/00按使用流动介质为特征的数字存储器；为此所用的存储元件

G11C 27/00电模拟存储器，例如，用于瞬时值存储的
G11C 27/02·取样—保持装置(G11C 27/04优先； 电信号的一般采样入H03K)〔2,4〕
G11C 27/04·移位寄存器(电荷耦合器件本身入H01L 29/76)〔4〕

G11C 29/00存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕
G11C 29/02·损坏的备用电路的检测或定位，例如，损坏的刷新计数器〔8〕
G11C 29/04·损坏存储元件的检测或定位〔8〕
G11C 29/06··加速测试〔8〕
G11C 29/08··功能测试，例如，在刷新、通电自检（POST）或分布型测试期间的测试〔8〕
G11C 29/10···测试算法，例如，存储扫描(MScan)算法；测试码形，例如棋盘码形〔8〕
G11C 29/12···用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置（BIST）〔8〕
G11C 29/14····控制逻辑的实现，例如，测试模式解码器〔8〕
G11C 29/16·····用微程序控制单元，例如，状态机〔8〕
G11C 29/18····地址形成装置；访问内存装置，例如，寻址电路的零部件〔8〕
G11C 29/20·····用计数器或线性反馈位移寄存器（LFSR）〔8〕
G11C 29/22·····访问串行存储器〔8〕
G11C 29/24·····访问额外单元，例如，虚拟单元或冗余单元〔8〕
G11C 29/26·····访问多个阵列（G11C 29/24优先）〔8〕
G11C 29/28······关联的多个阵列，例如，多位阵列〔8〕
G11C 29/30·····访问单阵列〔8〕
G11C 29/32······串行访问；扫描测试〔8〕
G11C 29/34······同时访问多位〔8〕
G11C 29/36····数据生成装置，例如，数据反相器〔8〕
G11C 29/38····响应验证装置〔8〕
G11C 29/40·····用压缩技术〔8〕
G11C 29/42·····用纠错码(ECC)或奇偶校验检查〔8〕
G11C 29/44····错误指示或识别，例如，修复〔8〕
G11C 29/46····测试触发逻辑〔8〕
G11C 29/48···专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置，例如，用直接存储器存取（DMA）或用辅助存取路径（外部测试装置入G11C 29/56）〔8〕
G11C 29/50··容限测试，例如，竞争、电压或电流测试〔8〕
G11C 29/52·存储器内量保护；存储器内量中的错误检测〔8〕
G11C 29/54·设计检测电路的装置，例如，可测试性设计（DFT）工具〔8〕
G11C 29/56·用于静态存储器的外部测试装置，例如，自动测试设备（ATE）；所用接口〔8〕

G11C 99/00本小类其他各组中不包含的技术主题〔8〕